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Válvula de retención de oblea manual para diseño sin brida de agua a alta temperatura para redes de tuberías compactas - Product Image 1
Válvula de retención de oblea manual para diseño sin brida de agua a alta temperatura para redes de tuberías compactas - Product Image 2
Válvula de retención de oblea manual para diseño sin brida de agua a alta temperatura para redes de tuberías compactas - Product Image 3
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Válvula de retención de oblea manual para diseño sin brida de agua a alta temperatura para redes de tuberías compactas - Product Image 6

Válvula de retención de oblea manual para diseño sin brida de agua a alta temperatura para redes de tuberías compactas

EUR 17.99-22.53
MOQ: 1
Nuevo Módulo IGBT Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0250P330305 HiPak, Semiconductor de Silicio, Fabricado en China - Product Image 1
Nuevo Módulo IGBT Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0250P330305 HiPak, Semiconductor de Silicio, Fabricado en China - Product Image 2
Nuevo Módulo IGBT Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0250P330305 HiPak, Semiconductor de Silicio, Fabricado en China - Product Image 3
Nuevo Módulo IGBT Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0250P330305 HiPak, Semiconductor de Silicio, Fabricado en China - Product Image 4
Nuevo Módulo IGBT Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0250P330305 HiPak, Semiconductor de Silicio, Fabricado en China - Product Image 5
Nuevo Módulo IGBT Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0250P330305 HiPak, Semiconductor de Silicio, Fabricado en China - Product Image 6

Nuevo Módulo IGBT Original Hitachi Energy ABB 5SNG 0250P330305 HiPak, Semiconductor de Silicio, Fabricado en China

EUR 87,708.40
MOQ: 1
Nuevo Original Hitachi Energy ABB Alto rendimiento 5SDF 28L4521 Semiconductores de diodos IGBT de oblea de silicio de recuperación rápida - Product Image 1
Nuevo Original Hitachi Energy ABB Alto rendimiento 5SDF 28L4521 Semiconductores de diodos IGBT de oblea de silicio de recuperación rápida - Product Image 2
Nuevo Original Hitachi Energy ABB Alto rendimiento 5SDF 28L4521 Semiconductores de diodos IGBT de oblea de silicio de recuperación rápida - Product Image 3
Nuevo Original Hitachi Energy ABB Alto rendimiento 5SDF 28L4521 Semiconductores de diodos IGBT de oblea de silicio de recuperación rápida - Product Image 4
Nuevo Original Hitachi Energy ABB Alto rendimiento 5SDF 28L4521 Semiconductores de diodos IGBT de oblea de silicio de recuperación rápida - Product Image 5
Nuevo Original Hitachi Energy ABB Alto rendimiento 5SDF 28L4521 Semiconductores de diodos IGBT de oblea de silicio de recuperación rápida - Product Image 6

Nuevo Original Hitachi Energy ABB Alto rendimiento 5SDF 28L4521 Semiconductores de diodos IGBT de oblea de silicio de recuperación rápida

EUR 87,708.32-87,708.40
MOQ: 1
WAFER-HY200JK-3A Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2mm Connector 2mm HY 1 3 - Product Image 1
WAFER-HY200JK-3A Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2mm Connector 2mm HY 1 3 - Product Image 2
WAFER-HY200JK-3A Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2mm Connector 2mm HY 1 3 - Product Image 3
WAFER-HY200JK-3A Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2mm Connector 2mm HY 1 3 - Product Image 4
WAFER-HY200JK-3A Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2mm Connector 2mm HY 1 3 - Product Image 5
WAFER-HY200JK-3A Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2mm Connector 2mm HY 1 3 - Product Image 6

WAFER-HY200JK-3A Housing (Wire-to-Board / Wire-to-Wire) P=2mm Connector 2mm HY 1 3

EUR 0.0088-0.0264
MOQ: 50
Semiconductor de Potencia Original Hitachi Energy ABB 5SNA 1500G450300, Módulo IGBT HiPak Individual, Tipo de Oblea de Silicio, Hecho en China - Product Image 1
Semiconductor de Potencia Original Hitachi Energy ABB 5SNA 1500G450300, Módulo IGBT HiPak Individual, Tipo de Oblea de Silicio, Hecho en China - Product Image 2
Semiconductor de Potencia Original Hitachi Energy ABB 5SNA 1500G450300, Módulo IGBT HiPak Individual, Tipo de Oblea de Silicio, Hecho en China - Product Image 3
Semiconductor de Potencia Original Hitachi Energy ABB 5SNA 1500G450300, Módulo IGBT HiPak Individual, Tipo de Oblea de Silicio, Hecho en China - Product Image 4
Semiconductor de Potencia Original Hitachi Energy ABB 5SNA 1500G450300, Módulo IGBT HiPak Individual, Tipo de Oblea de Silicio, Hecho en China - Product Image 5
Semiconductor de Potencia Original Hitachi Energy ABB 5SNA 1500G450300, Módulo IGBT HiPak Individual, Tipo de Oblea de Silicio, Hecho en China - Product Image 6

Semiconductor de Potencia Original Hitachi Energy ABB 5SNA 1500G450300, Módulo IGBT HiPak Individual, Tipo de Oblea de Silicio, Hecho en China

EUR 779.63
MOQ: 1
Hitachi Energy ABB 5SNG0300R170300 Phase Leg IGBT Module 2 * 300A 1700V Silicon Wafer LoPak Semiconductores - Product Image 1
Hitachi Energy ABB 5SNG0300R170300 Phase Leg IGBT Module 2 * 300A 1700V Silicon Wafer LoPak Semiconductores - Product Image 2
Hitachi Energy ABB 5SNG0300R170300 Phase Leg IGBT Module 2 * 300A 1700V Silicon Wafer LoPak Semiconductores - Product Image 3
Hitachi Energy ABB 5SNG0300R170300 Phase Leg IGBT Module 2 * 300A 1700V Silicon Wafer LoPak Semiconductores - Product Image 4
Hitachi Energy ABB 5SNG0300R170300 Phase Leg IGBT Module 2 * 300A 1700V Silicon Wafer LoPak Semiconductores - Product Image 5
Hitachi Energy ABB 5SNG0300R170300 Phase Leg IGBT Module 2 * 300A 1700V Silicon Wafer LoPak Semiconductores - Product Image 6

Hitachi Energy ABB 5SNG0300R170300 Phase Leg IGBT Module 2 * 300A 1700V Silicon Wafer LoPak Semiconductores

EUR 87,708.32-87,708.40
MOQ: 6
Nuevos Diodos Avalanche Originales Hitachi Energy ABB 5SDD 24F2800, Tipo de Oblea de Silicio CZ, Origen Otro, Tipo de Montaje Semiconductores - Product Image 1
Nuevos Diodos Avalanche Originales Hitachi Energy ABB 5SDD 24F2800, Tipo de Oblea de Silicio CZ, Origen Otro, Tipo de Montaje Semiconductores - Product Image 2
Nuevos Diodos Avalanche Originales Hitachi Energy ABB 5SDD 24F2800, Tipo de Oblea de Silicio CZ, Origen Otro, Tipo de Montaje Semiconductores - Product Image 3
Nuevos Diodos Avalanche Originales Hitachi Energy ABB 5SDD 24F2800, Tipo de Oblea de Silicio CZ, Origen Otro, Tipo de Montaje Semiconductores - Product Image 4
Nuevos Diodos Avalanche Originales Hitachi Energy ABB 5SDD 24F2800, Tipo de Oblea de Silicio CZ, Origen Otro, Tipo de Montaje Semiconductores - Product Image 5
Nuevos Diodos Avalanche Originales Hitachi Energy ABB 5SDD 24F2800, Tipo de Oblea de Silicio CZ, Origen Otro, Tipo de Montaje Semiconductores - Product Image 6

Nuevos Diodos Avalanche Originales Hitachi Energy ABB 5SDD 24F2800, Tipo de Oblea de Silicio CZ, Origen Otro, Tipo de Montaje Semiconductores

EUR 0.878-0.8859
MOQ: 1
Nuevo Original 5SDF 20L4521 Hitachi Energy ABB Diodos IGBT de recuperación rápida Producto semiconductor de silicio con oblea de silicio - Product Image 1
Nuevo Original 5SDF 20L4521 Hitachi Energy ABB Diodos IGBT de recuperación rápida Producto semiconductor de silicio con oblea de silicio - Product Image 2
Nuevo Original 5SDF 20L4521 Hitachi Energy ABB Diodos IGBT de recuperación rápida Producto semiconductor de silicio con oblea de silicio - Product Image 3
Nuevo Original 5SDF 20L4521 Hitachi Energy ABB Diodos IGBT de recuperación rápida Producto semiconductor de silicio con oblea de silicio - Product Image 4
Nuevo Original 5SDF 20L4521 Hitachi Energy ABB Diodos IGBT de recuperación rápida Producto semiconductor de silicio con oblea de silicio - Product Image 5
Nuevo Original 5SDF 20L4521 Hitachi Energy ABB Diodos IGBT de recuperación rápida Producto semiconductor de silicio con oblea de silicio - Product Image 6

Nuevo Original 5SDF 20L4521 Hitachi Energy ABB Diodos IGBT de recuperación rápida Producto semiconductor de silicio con oblea de silicio

EUR 87,708.40
MOQ: 1

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