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Transistor de montaje superficial

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Transistor MOSFET de propósito general 40N60FD2 SGT40N60FD2PN de montaje en superficie TO-247 40A 600V - Product Image 1
Transistor MOSFET de propósito general 40N60FD2 SGT40N60FD2PN de montaje en superficie TO-247 40A 600V - Product Image 2
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Transistor MOSFET de propósito general 40N60FD2 SGT40N60FD2PN de montaje en superficie TO-247 40A 600V - Product Image 5
Transistor MOSFET de propósito general 40N60FD2 SGT40N60FD2PN de montaje en superficie TO-247 40A 600V - Product Image 6

Transistor MOSFET de propósito general 40N60FD2 SGT40N60FD2PN de montaje en superficie TO-247 40A 600V

EUR 0.5945-0.612
MOQ: 1 unidad
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(7)
Nuevo Transistor MOSFET Original de Canal N de Montaje Superficial AO3400 AO3400A A09T SOT23 - Product Image 1
Nuevo Transistor MOSFET Original de Canal N de Montaje Superficial AO3400 AO3400A A09T SOT23 - Product Image 2
Nuevo Transistor MOSFET Original de Canal N de Montaje Superficial AO3400 AO3400A A09T SOT23 - Product Image 3
Nuevo Transistor MOSFET Original de Canal N de Montaje Superficial AO3400 AO3400A A09T SOT23 - Product Image 4
Nuevo Transistor MOSFET Original de Canal N de Montaje Superficial AO3400 AO3400A A09T SOT23 - Product Image 5
Nuevo Transistor MOSFET Original de Canal N de Montaje Superficial AO3400 AO3400A A09T SOT23 - Product Image 6

Nuevo Transistor MOSFET Original de Canal N de Montaje Superficial AO3400 AO3400A A09T SOT23

EUR 0.5245-0.612
MOQ: 10 unidades
ANGEL TECHNOLOGY ELECTRONICS CO.
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(3)
Transistor IGBT Triodo FET Discreto Original Nuevo 30F12, Paquete TO220F, Temperatura de Operación de -55°C a 150°C, Montaje Superficial, para Pantallas LCD - Product Image 1
Transistor IGBT Triodo FET Discreto Original Nuevo 30F12, Paquete TO220F, Temperatura de Operación de -55°C a 150°C, Montaje Superficial, para Pantallas LCD - Product Image 2
Transistor IGBT Triodo FET Discreto Original Nuevo 30F12, Paquete TO220F, Temperatura de Operación de -55°C a 150°C, Montaje Superficial, para Pantallas LCD - Product Image 3
Transistor IGBT Triodo FET Discreto Original Nuevo 30F12, Paquete TO220F, Temperatura de Operación de -55°C a 150°C, Montaje Superficial, para Pantallas LCD - Product Image 4
Transistor IGBT Triodo FET Discreto Original Nuevo 30F12, Paquete TO220F, Temperatura de Operación de -55°C a 150°C, Montaje Superficial, para Pantallas LCD - Product Image 5
Transistor IGBT Triodo FET Discreto Original Nuevo 30F12, Paquete TO220F, Temperatura de Operación de -55°C a 150°C, Montaje Superficial, para Pantallas LCD - Product Image 6

Transistor IGBT Triodo FET Discreto Original Nuevo 30F12, Paquete TO220F, Temperatura de Operación de -55°C a 150°C, Montaje Superficial, para Pantallas LCD

EUR 0.6994-1.05
MOQ: 2 unidades
YIDONG INDUSTRIAL (HK) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
Transistor Mosfet de Canal N Pje138k, 50V, Montaje Superficial, Configuración Única, Certificado RoHS - Product Image 1
Transistor Mosfet de Canal N Pje138k, 50V, Montaje Superficial, Configuración Única, Certificado RoHS - Product Image 2
Transistor Mosfet de Canal N Pje138k, 50V, Montaje Superficial, Configuración Única, Certificado RoHS - Product Image 3
Transistor Mosfet de Canal N Pje138k, 50V, Montaje Superficial, Configuración Única, Certificado RoHS - Product Image 4

Transistor Mosfet de Canal N Pje138k, 50V, Montaje Superficial, Configuración Única, Certificado RoHS

EUR 0.1924
MOQ: 2 unidades
ZZRS INDUSTRY LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(1)
SQJ116EP-T1_GE3 Transistor IGBT de Potencia de Montaje Superficial de Canal N de 100 V (D-S) para Componentes de Conmutación de TV Inverter, Vishay PowerPAK - Product Image 1

SQJ116EP-T1_GE3 Transistor IGBT de Potencia de Montaje Superficial de Canal N de 100 V (D-S) para Componentes de Conmutación de TV Inverter, Vishay PowerPAK

EUR 0.5245-1.72
MOQ: 1 unidad
ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
2 yrsSG flagSG
Transistores D2PAK BUK7108-40AIE, 118 Componentes Electrónicos Originales - Product Image 1
Transistores D2PAK BUK7108-40AIE, 118 Componentes Electrónicos Originales - Product Image 2
Transistores D2PAK BUK7108-40AIE, 118 Componentes Electrónicos Originales - Product Image 3
Transistores D2PAK BUK7108-40AIE, 118 Componentes Electrónicos Originales - Product Image 4
Transistores D2PAK BUK7108-40AIE, 118 Componentes Electrónicos Originales - Product Image 5
Transistores D2PAK BUK7108-40AIE, 118 Componentes Electrónicos Originales - Product Image 6

Transistores D2PAK BUK7108-40AIE, 118 Componentes Electrónicos Originales

EUR 0.341-0.6731
MOQ: 100 unidades
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
Canal de montaje de una parada, IRFR7540TRPBF channel Channel iiiiiiell ffffect ranransistor - Product Image 1
Canal de montaje de una parada, IRFR7540TRPBF channel Channel iiiiiiell ffffect ranransistor - Product Image 2
Canal de montaje de una parada, IRFR7540TRPBF channel Channel iiiiiiell ffffect ranransistor - Product Image 3
Canal de montaje de una parada, IRFR7540TRPBF channel Channel iiiiiiell ffffect ranransistor - Product Image 4
Canal de montaje de una parada, IRFR7540TRPBF channel Channel iiiiiiell ffffect ranransistor - Product Image 5
Canal de montaje de una parada, IRFR7540TRPBF channel Channel iiiiiiell ffffect ranransistor - Product Image 6

Canal de montaje de una parada, IRFR7540TRPBF channel Channel iiiiiiell ffffect ranransistor

EUR 0.2536-0.3934
MOQ: 1 unidad
HONGKONG SMARE TRADING LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(2)
Transistor IGBT SL 60N60FD1 60A/600V SGT60N60FD1PN 60N60 con Baja Pérdida de Conducción, Alta Velocidad de Conmutación y Alta Impedancia de Entrada - Product Image 1
Transistor IGBT SL 60N60FD1 60A/600V SGT60N60FD1PN 60N60 con Baja Pérdida de Conducción, Alta Velocidad de Conmutación y Alta Impedancia de Entrada - Product Image 2
Transistor IGBT SL 60N60FD1 60A/600V SGT60N60FD1PN 60N60 con Baja Pérdida de Conducción, Alta Velocidad de Conmutación y Alta Impedancia de Entrada - Product Image 3
Transistor IGBT SL 60N60FD1 60A/600V SGT60N60FD1PN 60N60 con Baja Pérdida de Conducción, Alta Velocidad de Conmutación y Alta Impedancia de Entrada - Product Image 4
Transistor IGBT SL 60N60FD1 60A/600V SGT60N60FD1PN 60N60 con Baja Pérdida de Conducción, Alta Velocidad de Conmutación y Alta Impedancia de Entrada - Product Image 5
Transistor IGBT SL 60N60FD1 60A/600V SGT60N60FD1PN 60N60 con Baja Pérdida de Conducción, Alta Velocidad de Conmutación y Alta Impedancia de Entrada - Product Image 6

Transistor IGBT SL 60N60FD1 60A/600V SGT60N60FD1PN 60N60 con Baja Pérdida de Conducción, Alta Velocidad de Conmutación y Alta Impedancia de Entrada

EUR 0.8567-0.8742
MOQ: 10 unidades
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(7)