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Circuito integrado mosfet

(999+ productos disponibles)

$Componentes Electrónicos Originales, Circuito Integrado 8 SOIC (0.154\", 3.90mm de Ancho), Circuito Integrado de Puerta de Baja Tensión con Contacto Expuesto 8SOIC ADP3623A - Product Image 1$

$Componentes Electrónicos Originales, Circuito Integrado 8 SOIC (0.154\", 3.90mm de Ancho), Circuito Integrado de Puerta de Baja Tensión con Contacto Expuesto 8SOIC ADP3623A - Product Image 2$

$Componentes Electrónicos Originales, Circuito Integrado 8 SOIC (0.154\", 3.90mm de Ancho), Circuito Integrado de Puerta de Baja Tensión con Contacto Expuesto 8SOIC ADP3623A - Product Image 3$

$Componentes Electrónicos Originales, Circuito Integrado 8 SOIC (0.154\", 3.90mm de Ancho), Circuito Integrado de Puerta de Baja Tensión con Contacto Expuesto 8SOIC ADP3623A - Product Image 4$

$Componentes Electrónicos Originales, Circuito Integrado 8 SOIC (0.154\", 3.90mm de Ancho), Circuito Integrado de Puerta de Baja Tensión con Contacto Expuesto 8SOIC ADP3623A - Product Image 5$

$Componentes Electrónicos Originales, Circuito Integrado 8 SOIC (0.154\", 3.90mm de Ancho), Circuito Integrado de Puerta de Baja Tensión con Contacto Expuesto 8SOIC ADP3623A - Product Image 6$

Componentes Electrónicos Originales, Circuito Integrado 8 SOIC (0.154\", 3.90mm de Ancho), Circuito Integrado de Puerta de Baja Tensión con Contacto Expuesto 8SOIC ADP3623A

EUR 1.21-3.63

Pedido mínimo: 1 unidad

Transistor MOSFET de potencia RF Original USEMI, 175W, 175MHz, 15,8 dB de ganancia, 50V, Canal N, paquete M174, MHz - Product Image 1

Transistor MOSFET de potencia RF Original USEMI, 175W, 175MHz, 15,8 dB de ganancia, 50V, Canal N, paquete M174, MHz - Product Image 2

Transistor MOSFET de potencia RF Original USEMI, 175W, 175MHz, 15,8 dB de ganancia, 50V, Canal N, paquete M174, MHz - Product Image 3

Transistor MOSFET de potencia RF Original USEMI, 175W, 175MHz, 15,8 dB de ganancia, 50V, Canal N, paquete M174, MHz - Product Image 4

Transistor MOSFET de potencia RF Original USEMI, 175W, 175MHz, 15,8 dB de ganancia, 50V, Canal N, paquete M174, MHz - Product Image 5

Transistor MOSFET de potencia RF Original USEMI, 175W, 175MHz, 15,8 dB de ganancia, 50V, Canal N, paquete M174, MHz - Product Image 6

Transistor MOSFET de potencia RF Original USEMI, 175W, 175MHz, 15,8 dB de ganancia, 50V, Canal N, paquete M174, MHz

EUR 25.87-30.18

Pedido mínimo: 1 unidad

Circuito Integrado de Gestión de Energía (PMIC) ABU / MOSFET, Precio Original, TO 252 3, DPAK (2 Pines + Lengüeta), SC 63 RJE0609JPD-00 # J3 - Product Image 1

Circuito Integrado de Gestión de Energía (PMIC) ABU / MOSFET, Precio Original, TO 252 3, DPAK (2 Pines + Lengüeta), SC 63 RJE0609JPD-00 # J3 - Product Image 2

Circuito Integrado de Gestión de Energía (PMIC) ABU / MOSFET, Precio Original, TO 252 3, DPAK (2 Pines + Lengüeta), SC 63 RJE0609JPD-00 # J3 - Product Image 3

Circuito Integrado de Gestión de Energía (PMIC) ABU / MOSFET, Precio Original, TO 252 3, DPAK (2 Pines + Lengüeta), SC 63 RJE0609JPD-00 # J3 - Product Image 4

Circuito Integrado de Gestión de Energía (PMIC) ABU / MOSFET, Precio Original, TO 252 3, DPAK (2 Pines + Lengüeta), SC 63 RJE0609JPD-00 # J3 - Product Image 5

Circuito Integrado de Gestión de Energía (PMIC) ABU / MOSFET, Precio Original, TO 252 3, DPAK (2 Pines + Lengüeta), SC 63 RJE0609JPD-00 # J3 - Product Image 6

Circuito Integrado de Gestión de Energía (PMIC) ABU / MOSFET, Precio Original, TO 252 3, DPAK (2 Pines + Lengüeta), SC 63 RJE0609JPD-00 # J3

EUR 0.5345-1.61

Pedido mínimo: 1 unidad

MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 1

MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 2

MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 3

MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 4

MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 5

MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 6

MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad

EUR 0.0015-0.0029

Pedido mínimo: 1 unidad

Diodo SMD Paquete de N/A Transistor PNP MOSFET Circuito integrado IC - Product Image 1

Diodo SMD Paquete de N/A Transistor PNP MOSFET Circuito integrado IC - Product Image 2

Diodo SMD Paquete de N/A Transistor PNP MOSFET Circuito integrado IC - Product Image 3

Diodo SMD Paquete de N/A Transistor PNP MOSFET Circuito integrado IC - Product Image 4

Diodo SMD Paquete de N/A Transistor PNP MOSFET Circuito integrado IC - Product Image 5

Diodo SMD Paquete de N/A Transistor PNP MOSFET Circuito integrado IC - Product Image 6

Diodo SMD Paquete de N/A Transistor PNP MOSFET Circuito integrado IC

EUR 0.7759-8.63

Pedido mínimo: 1 unidad

Transistor de efecto de campo (MOSFET) TO-252, circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC - Product Image 1

Transistor de efecto de campo (MOSFET) TO-252, circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC - Product Image 2

Transistor de efecto de campo (MOSFET) TO-252, circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC - Product Image 3

Transistor de efecto de campo (MOSFET) TO-252, circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC

EUR 0.288-0.4543

Pedido mínimo: 1 unidad

BSH112235 BSH112: transistor de efecto de campo de señal pequeña 0.3A 60V MOSFET de canal N, circuitos integrados de circuito integrado de TO-236AB - Product Image 1

BSH112235 BSH112: transistor de efecto de campo de señal pequeña 0.3A 60V MOSFET de canal N, circuitos integrados de circuito integrado de TO-236AB - Product Image 2

BSH112235 BSH112: transistor de efecto de campo de señal pequeña 0.3A 60V MOSFET de canal N, circuitos integrados de circuito integrado de TO-236AB - Product Image 3

BSH112235 BSH112: transistor de efecto de campo de señal pequeña 0.3A 60V MOSFET de canal N, circuitos integrados de circuito integrado de TO-236AB - Product Image 4

BSH112235 BSH112: transistor de efecto de campo de señal pequeña 0.3A 60V MOSFET de canal N, circuitos integrados de circuito integrado de TO-236AB - Product Image 5

BSH112235 BSH112: transistor de efecto de campo de señal pequeña 0.3A 60V MOSFET de canal N, circuitos integrados de circuito integrado de TO-236AB - Product Image 6

BSH112235 BSH112: transistor de efecto de campo de señal pequeña 0.3A 60V MOSFET de canal N, circuitos integrados de circuito integrado de TO-236AB

EUR 0.4311

Pedido mínimo: 100 unidades

Circuito Integrado Electrónico, Canal 8, VFDFN, Pines Expuestos, Controlador de Puerta IC, Medio Puente, 8DFN, ADP3120AJCPZ-RL, Gestión de Energía - Product Image 1

Circuito Integrado Electrónico, Canal 8, VFDFN, Pines Expuestos, Controlador de Puerta IC, Medio Puente, 8DFN, ADP3120AJCPZ-RL, Gestión de Energía - Product Image 2

Circuito Integrado Electrónico, Canal 8, VFDFN, Pines Expuestos, Controlador de Puerta IC, Medio Puente, 8DFN, ADP3120AJCPZ-RL, Gestión de Energía - Product Image 3

Circuito Integrado Electrónico, Canal 8, VFDFN, Pines Expuestos, Controlador de Puerta IC, Medio Puente, 8DFN, ADP3120AJCPZ-RL, Gestión de Energía - Product Image 4

Circuito Integrado Electrónico, Canal 8, VFDFN, Pines Expuestos, Controlador de Puerta IC, Medio Puente, 8DFN, ADP3120AJCPZ-RL, Gestión de Energía - Product Image 5

Circuito Integrado Electrónico, Canal 8, VFDFN, Pines Expuestos, Controlador de Puerta IC, Medio Puente, 8DFN, ADP3120AJCPZ-RL, Gestión de Energía - Product Image 6

Circuito Integrado Electrónico, Canal 8, VFDFN, Pines Expuestos, Controlador de Puerta IC, Medio Puente, 8DFN, ADP3120AJCPZ-RL, Gestión de Energía

EUR 0.2759-1.16

Pedido mínimo: 1 unidad