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Circuito integrado mosfet

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Transistor Regulador de Potencia MOSFET SMD Misuxin DN3535N8-G SOT89, 350V 0.2A, Nuevo y Original - Product Image 1
Transistor Regulador de Potencia MOSFET SMD Misuxin DN3535N8-G SOT89, 350V 0.2A, Nuevo y Original - Product Image 2
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Transistor Regulador de Potencia MOSFET SMD Misuxin DN3535N8-G SOT89, 350V 0.2A, Nuevo y Original - Product Image 6

Transistor Regulador de Potencia MOSFET SMD Misuxin DN3535N8-G SOT89, 350V 0.2A, Nuevo y Original

EUR 0.6448-1.70
MOQ: 1
1 yrscountry flagHK
Proveedores de componentes electrónicos, circuito integrado IC, canal N, 100V, 20MOHM, PXN020-100QSJ - Product Image 1
Proveedores de componentes electrónicos, circuito integrado IC, canal N, 100V, 20MOHM, PXN020-100QSJ - Product Image 2
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Proveedores de componentes electrónicos, circuito integrado IC, canal N, 100V, 20MOHM, PXN020-100QSJ - Product Image 6

Proveedores de componentes electrónicos, circuito integrado IC, canal N, 100V, 20MOHM, PXN020-100QSJ

EUR 2.55-10.19
MOQ: 1
11 yrscountry flagHK4.9/5.0 (34)
In Stock DPAK Ic Integrated Circuit MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Transistors STD65NF06 - Product Image 1
In Stock DPAK Ic Integrated Circuit MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Transistors STD65NF06 - Product Image 2
In Stock DPAK Ic Integrated Circuit MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Transistors STD65NF06 - Product Image 3
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In Stock DPAK Ic Integrated Circuit MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Transistors STD65NF06 - Product Image 6

In Stock DPAK Ic Integrated Circuit MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Transistors STD65NF06

EUR 0.4158-0.823
MOQ: 100
1 yrscountry flagHK
MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 1
MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 2
MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 3
MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 4
MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 5
MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad - Product Image 6

MOSFET de modo de mejora de canal P, IC de circuito integrado Original, 1 unidad, 1 unidad

EUR 0.0015-0.0028
MOQ: 1
1 yrscountry flagHK
ABU / MOSFET Servicio Integral Original 8 SOIC (0.154", 3.90mm de Ancho) Componente Electrónico IC Chip Circuito Integrado - Product Image 1
ABU / MOSFET Servicio Integral Original 8 SOIC (0.154", 3.90mm de Ancho) Componente Electrónico IC Chip Circuito Integrado - Product Image 2
ABU / MOSFET Servicio Integral Original 8 SOIC (0.154", 3.90mm de Ancho) Componente Electrónico IC Chip Circuito Integrado - Product Image 3
ABU / MOSFET Servicio Integral Original 8 SOIC (0.154", 3.90mm de Ancho) Componente Electrónico IC Chip Circuito Integrado - Product Image 4
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ABU / MOSFET Servicio Integral Original 8 SOIC (0.154", 3.90mm de Ancho) Componente Electrónico IC Chip Circuito Integrado - Product Image 6

ABU / MOSFET Servicio Integral Original 8 SOIC (0.154", 3.90mm de Ancho) Componente Electrónico IC Chip Circuito Integrado

EUR 0.4242-1.35
MOQ: 1
1 yrscountry flagHK
Circuito Integrado PMZB350UPE 315 MOSFET 2. 0 20V 1A, Componente Electrónico Certificado por RoHS, Stock Original - Product Image 1

Circuito Integrado PMZB350UPE 315 MOSFET 2. 0 20V 1A, Componente Electrónico Certificado por RoHS, Stock Original

EUR 0.1697
MOQ: 100
9 yrscountry flagHK
MOSFET de Potencia de Alta Calidad - Circuito Integrado de Canal N de 40V para Equipos Electrónicos HYG011N04LS2C2 - Product Image 1
MOSFET de Potencia de Alta Calidad - Circuito Integrado de Canal N de 40V para Equipos Electrónicos HYG011N04LS2C2 - Product Image 2
MOSFET de Potencia de Alta Calidad - Circuito Integrado de Canal N de 40V para Equipos Electrónicos HYG011N04LS2C2 - Product Image 3
MOSFET de Potencia de Alta Calidad - Circuito Integrado de Canal N de 40V para Equipos Electrónicos HYG011N04LS2C2 - Product Image 4
MOSFET de Potencia de Alta Calidad - Circuito Integrado de Canal N de 40V para Equipos Electrónicos HYG011N04LS2C2 - Product Image 5
MOSFET de Potencia de Alta Calidad - Circuito Integrado de Canal N de 40V para Equipos Electrónicos HYG011N04LS2C2 - Product Image 6

MOSFET de Potencia de Alta Calidad - Circuito Integrado de Canal N de 40V para Equipos Electrónicos HYG011N04LS2C2

EUR 0.1697
MOQ: 1
3 yrscountry flagHK4.9/5.0 (29)
IXTQ88N30P original transistor de efecto de campo (MOSFET), circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC IXTQ88N30P - Product Image 1
IXTQ88N30P original transistor de efecto de campo (MOSFET), circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC IXTQ88N30P - Product Image 2
IXTQ88N30P original transistor de efecto de campo (MOSFET), circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC IXTQ88N30P - Product Image 3
IXTQ88N30P original transistor de efecto de campo (MOSFET), circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC IXTQ88N30P - Product Image 4
IXTQ88N30P original transistor de efecto de campo (MOSFET), circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC IXTQ88N30P - Product Image 5
IXTQ88N30P original transistor de efecto de campo (MOSFET), circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC IXTQ88N30P - Product Image 6

IXTQ88N30P original transistor de efecto de campo (MOSFET), circuitos integrados, componentes electrónicos, Chip IC IXTQ88N30P

EUR 2.95-3.30
MOQ: 1
3 yrscountry flagHK4.8/5.0 (55)

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