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Chip IC de circuito integrado original y completamente nuevo de W9825G6KH-6 de la memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono (SDRAM) - Product Image 1

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Chip IC de circuito integrado original y completamente nuevo de W9825G6KH-6 de la memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono (SDRAM)

EUR 0.8109-3.05

MOQ: 1

Compre Componentes Electrónicos Originales en Línea W25Q32FVZEIG TR 8 WDFN Memoria de Placa Expuesta - Product Image 1

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EUR 0.2588-0.5176

MOQ: 100

Componentes Electrónicos R1EX24256BSAS0I # Memoria U0 8 SOlC (0.154" 3.90mm de Ancho) Original - Product Image 1

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Componentes Electrónicos R1EX24256BSAS0I # Memoria U0 8 SOlC (0.154" 3.90mm de Ancho) Original

EUR 2.18-3.26

MOQ: 1

Nuevo Original en Existencia, Memoria DDR4 de Alta Capacidad, IC H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NAMR-TFC H5ANBG6NAMR-XNC - Product Image 1

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EUR 0.4314

MOQ: 100

P25Q16SH-SSH-IT P25Q16SH Circuito Integrado de Memoria Flash SPI de 16M-bit SOP-8, Memoria de Almacenamiento No Volátil de Alta Velocidad y Resistente a la Temperatura P25Q16SH-SSH-IT - Product Image 1

P25Q16SH-SSH-IT P25Q16SH Circuito Integrado de Memoria Flash SPI de 16M-bit SOP-8, Memoria de Almacenamiento No Volátil de Alta Velocidad y Resistente a la Temperatura P25Q16SH-SSH-IT - Product Image 2

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P25Q16SH-SSH-IT P25Q16SH Circuito Integrado de Memoria Flash SPI de 16M-bit SOP-8, Memoria de Almacenamiento No Volátil de Alta Velocidad y Resistente a la Temperatura P25Q16SH-SSH-IT - Product Image 4

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P25Q16SH-SSH-IT P25Q16SH Circuito Integrado de Memoria Flash SPI de 16M-bit SOP-8, Memoria de Almacenamiento No Volátil de Alta Velocidad y Resistente a la Temperatura P25Q16SH-SSH-IT

EUR 0.3882-1.56

MOQ: 1

Chip de Memoria FLASH W25Q128JVSIQ de 125M, Impresión de Pantalla de Seda 25Q128JVSQ, SOIC-8 - Product Image 1

Chip de Memoria FLASH W25Q128JVSIQ de 125M, Impresión de Pantalla de Seda 25Q128JVSQ, SOIC-8 - Product Image 2

Chip de Memoria FLASH W25Q128JVSIQ de 125M, Impresión de Pantalla de Seda 25Q128JVSQ, SOIC-8 - Product Image 3

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Chip de Memoria FLASH W25Q128JVSIQ de 125M, Impresión de Pantalla de Seda 25Q128JVSQ, SOIC-8

EUR 0.0863-0.4314

MOQ: 5

Nuevo Circuito Integrado de Memoria FLASH NAND Original NAND512R3A2SZA6E de Micron, 512 Mbit, Paralelo, 50 ns, 63-TFBGA, Montaje Superficial, Chips Electrónicos - Product Image 1

Nuevo Circuito Integrado de Memoria FLASH NAND Original NAND512R3A2SZA6E de Micron, 512 Mbit, Paralelo, 50 ns, 63-TFBGA, Montaje Superficial, Chips Electrónicos - Product Image 2

Nuevo Circuito Integrado de Memoria FLASH NAND Original NAND512R3A2SZA6E de Micron, 512 Mbit, Paralelo, 50 ns, 63-TFBGA, Montaje Superficial, Chips Electrónicos - Product Image 3

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Nuevo Circuito Integrado de Memoria FLASH NAND Original NAND512R3A2SZA6E de Micron, 512 Mbit, Paralelo, 50 ns, 63-TFBGA, Montaje Superficial, Chips Electrónicos

EUR 2.16-2.59

MOQ: 1

Memoria NV25160DWVLT3G 128 Mbit SPI SER CMOS EEPROM WDFN-8 de Bajo Consumo de Corriente (VCC) y Bajo Voltaje, Serie MT25QU - Product Image 1

Memoria NV25160DWVLT3G 128 Mbit SPI SER CMOS EEPROM WDFN-8 de Bajo Consumo de Corriente (VCC) y Bajo Voltaje, Serie MT25QU

EUR 0.4831-0.7247

MOQ: 1

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