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Soportes de Amortiguador Metálicos Shun Gan Tai, Base de Montaje para Chasis de Coche Modelo T1, Acero Inoxidable, Procesamiento Personalizado - Product Image 1
Soportes de Amortiguador Metálicos Shun Gan Tai, Base de Montaje para Chasis de Coche Modelo T1, Acero Inoxidable, Procesamiento Personalizado - Product Image 2
Soportes de Amortiguador Metálicos Shun Gan Tai, Base de Montaje para Chasis de Coche Modelo T1, Acero Inoxidable, Procesamiento Personalizado - Product Image 3
Soportes de Amortiguador Metálicos Shun Gan Tai, Base de Montaje para Chasis de Coche Modelo T1, Acero Inoxidable, Procesamiento Personalizado - Product Image 4
Soportes de Amortiguador Metálicos Shun Gan Tai, Base de Montaje para Chasis de Coche Modelo T1, Acero Inoxidable, Procesamiento Personalizado - Product Image 5

Soportes de Amortiguador Metálicos Shun Gan Tai, Base de Montaje para Chasis de Coche Modelo T1, Acero Inoxidable, Procesamiento Personalizado

EUR 0.1532
MOQ: 1 unidad
HUIHONG INDUSTRIAL LIMITED
1 yrsHK flagHK
LMG3425R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 1
LMG3425R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 2
LMG3425R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 3
LMG3425R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 4
LMG3425R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 5
LMG3425R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 6

LMG3425R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía

EUR 10.53-13.16
MOQ: 100 unidades
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(5)
LMG2104R022 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN-FCRLF de 18 Pines -40 a 150 7 x 4.5 Gestión de Energía - Product Image 1
LMG2104R022 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN-FCRLF de 18 Pines -40 a 150 7 x 4.5 Gestión de Energía - Product Image 2
LMG2104R022 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN-FCRLF de 18 Pines -40 a 150 7 x 4.5 Gestión de Energía - Product Image 3
LMG2104R022 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN-FCRLF de 18 Pines -40 a 150 7 x 4.5 Gestión de Energía - Product Image 4
LMG2104R022 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN-FCRLF de 18 Pines -40 a 150 7 x 4.5 Gestión de Energía - Product Image 5
LMG2104R022 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN-FCRLF de 18 Pines -40 a 150 7 x 4.5 Gestión de Energía - Product Image 6

LMG2104R022 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN-FCRLF de 18 Pines -40 a 150 7 x 4.5 Gestión de Energía

EUR 4.49-5.62
MOQ: 100 unidades
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(5)
Transistor de Potencia GaN HEMT ISG6123TA SMD, Semiconductor de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 1
Transistor de Potencia GaN HEMT ISG6123TA SMD, Semiconductor de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 2
Transistor de Potencia GaN HEMT ISG6123TA SMD, Semiconductor de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 3
Transistor de Potencia GaN HEMT ISG6123TA SMD, Semiconductor de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 4
Transistor de Potencia GaN HEMT ISG6123TA SMD, Semiconductor de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 5
Transistor de Potencia GaN HEMT ISG6123TA SMD, Semiconductor de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 6

Transistor de Potencia GaN HEMT ISG6123TA SMD, Semiconductor de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad

EUR 1.80-9
MOQ: 10 unidades
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG2652 SMD, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 1
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG2652 SMD, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 2
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG2652 SMD, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 3
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG2652 SMD, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 4
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG2652 SMD, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 5
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG2652 SMD, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 6

Transistor de Potencia GaN HEMT LMG2652 SMD, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad

EUR 1.80-9
MOQ: 10 unidades
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
LMG2640 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 40 Pines -40 a 125 9 x 7 Gestión de Energía - Product Image 1
LMG2640 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 40 Pines -40 a 125 9 x 7 Gestión de Energía - Product Image 2
LMG2640 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 40 Pines -40 a 125 9 x 7 Gestión de Energía - Product Image 3
LMG2640 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 40 Pines -40 a 125 9 x 7 Gestión de Energía - Product Image 4
LMG2640 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 40 Pines -40 a 125 9 x 7 Gestión de Energía - Product Image 5
LMG2640 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 40 Pines -40 a 125 9 x 7 Gestión de Energía - Product Image 6

LMG2640 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 40 Pines -40 a 125 9 x 7 Gestión de Energía

EUR 6.82-8.52
MOQ: 100 unidades
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(5)
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) de Alta Calidad RC65D160G DFN-8L(8x8) - Product Image 1
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) de Alta Calidad RC65D160G DFN-8L(8x8) - Product Image 2
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) de Alta Calidad RC65D160G DFN-8L(8x8) - Product Image 3
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) de Alta Calidad RC65D160G DFN-8L(8x8) - Product Image 4
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) de Alta Calidad RC65D160G DFN-8L(8x8) - Product Image 5
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) de Alta Calidad RC65D160G DFN-8L(8x8) - Product Image 6

Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) de Alta Calidad RC65D160G DFN-8L(8x8)

EUR 0.1262-0.5135
MOQ: 5 unidades
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.7/5.0(5)
Transistor LMG3624REQR VQFN-38 (5.3x8) Nuevo y Original, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 1
Transistor LMG3624REQR VQFN-38 (5.3x8) Nuevo y Original, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 2
Transistor LMG3624REQR VQFN-38 (5.3x8) Nuevo y Original, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 3
Transistor LMG3624REQR VQFN-38 (5.3x8) Nuevo y Original, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 4
Transistor LMG3624REQR VQFN-38 (5.3x8) Nuevo y Original, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 5
Transistor LMG3624REQR VQFN-38 (5.3x8) Nuevo y Original, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 6

Transistor LMG3624REQR VQFN-38 (5.3x8) Nuevo y Original, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT)

EUR 0.1262-0.5135
MOQ: 5 unidades
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.7/5.0(5)

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