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Gané

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LMG3104R011 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN-FCRLF de 15 Pines -40 a 125 6.5 x 4 Gestión de Energía - Product Image 1
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LMG3104R011 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN-FCRLF de 15 Pines -40 a 125 6.5 x 4 Gestión de Energía

EUR 4.44-5.55
MOQ: 100 unidades
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(5)
IGLR60R260D1XUMA1 GAN HV Chip IC Original Nuevo en Stock - Product Image 1
IGLR60R260D1XUMA1 GAN HV Chip IC Original Nuevo en Stock - Product Image 2
IGLR60R260D1XUMA1 GAN HV Chip IC Original Nuevo en Stock - Product Image 3
IGLR60R260D1XUMA1 GAN HV Chip IC Original Nuevo en Stock - Product Image 4
IGLR60R260D1XUMA1 GAN HV Chip IC Original Nuevo en Stock - Product Image 5
IGLR60R260D1XUMA1 GAN HV Chip IC Original Nuevo en Stock - Product Image 6

IGLR60R260D1XUMA1 GAN HV Chip IC Original Nuevo en Stock

EUR 0.1802-0.9009
MOQ: 10 unidades
ApexCore HK Technology Limited
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(11)
LMG3427R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 1
LMG3427R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 2
LMG3427R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 3
LMG3427R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 4
LMG3427R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 5
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LMG3427R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía

EUR 7.30-9.13
MOQ: 100 unidades
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(5)
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) GAN190-650EBEZ DFN8080-8 Original y Nuevo - Product Image 1
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) GAN190-650EBEZ DFN8080-8 Original y Nuevo - Product Image 2
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) GAN190-650EBEZ DFN8080-8 Original y Nuevo - Product Image 3
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) GAN190-650EBEZ DFN8080-8 Original y Nuevo - Product Image 4
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) GAN190-650EBEZ DFN8080-8 Original y Nuevo - Product Image 5
Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) GAN190-650EBEZ DFN8080-8 Original y Nuevo - Product Image 6

Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) GAN190-650EBEZ DFN8080-8 Original y Nuevo

EUR 0.1262-0.5135
MOQ: 5 unidades
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.7/5.0(5)
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG3526R050 SMD 650V, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 1
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG3526R050 SMD 650V, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 2
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG3526R050 SMD 650V, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 3
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG3526R050 SMD 650V, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 4
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG3526R050 SMD 650V, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 5
Transistor de Potencia GaN HEMT LMG3526R050 SMD 650V, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 6

Transistor de Potencia GaN HEMT LMG3526R050 SMD 650V, Interruptor de Potencia de Banda Ancha, Componente Electrónico de Alta Calidad

EUR 1.80-9
MOQ: 10 unidades
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
LMG3522R030 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 1
LMG3522R030 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 2
LMG3522R030 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 3
LMG3522R030 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 4
LMG3522R030 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 5
LMG3522R030 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 6

LMG3522R030 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 150 12 x 12 Gestión de Energía

EUR 12.99-16.23
MOQ: 100 unidades
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(5)
EPC2234 TRANS GAN AEC 170V .008OHM 24BGA Chip IC Original Nuevo en Stock - Product Image 1
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EPC2234 TRANS GAN AEC 170V .008OHM 24BGA Chip IC Original Nuevo en Stock

EUR 0.1802-0.9009
MOQ: 10 unidades
ApexCore HK Technology Limited
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(11)
Nuevo Transistor Original RC65D160A TO-220F, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 1
Nuevo Transistor Original RC65D160A TO-220F, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 2
Nuevo Transistor Original RC65D160A TO-220F, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 3
Nuevo Transistor Original RC65D160A TO-220F, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 4
Nuevo Transistor Original RC65D160A TO-220F, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 5
Nuevo Transistor Original RC65D160A TO-220F, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT) - Product Image 6

Nuevo Transistor Original RC65D160A TO-220F, Transistor de Nitruro de Galio (GaN HEMT)

EUR 0.1262-0.5135
MOQ: 5 unidades
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.7/5.0(5)

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