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Gané

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EPC2619 TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA Chip IC Original Nuevo en Stock - Product Image 1
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EPC2619 TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA Chip IC Original Nuevo en Stock

EUR 0.1802-0.9009
MOQ: 10 unidades
ApexCore HK Technology Limited
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(11)
LMG3427R030 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 125 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 1
LMG3427R030 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 125 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 2
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LMG3427R030 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 54 Pines -40 a 125 12 x 12 Gestión de Energía

EUR 9.71-12.13
MOQ: 100 unidades
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(5)
EPC2207 TRANS GAN 200V DIE .022OHM Chip IC Original Nuevo en Stock - Product Image 1
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EPC2207 TRANS GAN 200V DIE .022OHM Chip IC Original Nuevo en Stock - Product Image 6

EPC2207 TRANS GAN 200V DIE .022OHM Chip IC Original Nuevo en Stock

EUR 0.1802-0.9009
MOQ: 10 unidades
ApexCore HK Technology Limited
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(11)
LMG3526R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 125 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 1
LMG3526R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 125 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 2
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LMG3526R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 125 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 4
LMG3526R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 125 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 5
LMG3526R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 125 12 x 12 Gestión de Energía - Product Image 6

LMG3526R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 52 Pines -40 a 125 12 x 12 Gestión de Energía

EUR 9.43-11.78
MOQ: 100 unidades
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(5)
LMG3411R150 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 1
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LMG3411R150 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 3
LMG3411R150 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 4
LMG3411R150 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 5
LMG3411R150 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 6

LMG3411R150 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía

EUR 4.33-5.41
MOQ: 100 unidades
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(5)
LMG3411R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 1
LMG3411R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 2
LMG3411R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 3
LMG3411R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 4
LMG3411R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 5
LMG3411R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía - Product Image 6

LMG3411R050 Etapas de Potencia de Nitruro de Galio (GaN) VQFN 32 Pines -40 a 150 8 x 8 Gestión de Energía

EUR 7.36-9.20
MOQ: 100 unidades
TELNOVA TECHNOLOGY (HONG KONG) CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(5)
Transistor de Potencia GaN HEMT NV6135C SMD, Semiconductor de Banda Ancha de Alta Velocidad, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 1
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Transistor de Potencia GaN HEMT NV6135C SMD, Semiconductor de Banda Ancha de Alta Velocidad, Componente Electrónico de Alta Calidad

EUR 0.8919-9
MOQ: 10 unidades
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)
Transistor de Potencia GaN HEMT EPC2016C SMD de Alta Frecuencia y Amplio Rango de Banda, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 1
Transistor de Potencia GaN HEMT EPC2016C SMD de Alta Frecuencia y Amplio Rango de Banda, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 2
Transistor de Potencia GaN HEMT EPC2016C SMD de Alta Frecuencia y Amplio Rango de Banda, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 3
Transistor de Potencia GaN HEMT EPC2016C SMD de Alta Frecuencia y Amplio Rango de Banda, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 4
Transistor de Potencia GaN HEMT EPC2016C SMD de Alta Frecuencia y Amplio Rango de Banda, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 5
Transistor de Potencia GaN HEMT EPC2016C SMD de Alta Frecuencia y Amplio Rango de Banda, Componente Electrónico de Alta Calidad - Product Image 6

Transistor de Potencia GaN HEMT EPC2016C SMD de Alta Frecuencia y Amplio Rango de Banda, Componente Electrónico de Alta Calidad

EUR 0.8919-9
MOQ: 10 unidades
TOP SOURCE TECHNOLOGY CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.7/5.0(21)

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